8月19日讯息，湖北九峰山履行室当天官宣，该履行室近日在磷化铟（InP）材料领域获得蹙迫时代冲破，生效开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探伤器和 FP 结构激光器的外延滋长工艺，关键性能成见达到海外朝上水平。

这一后果亦然国内初次在大尺寸磷化铟材料制备领域完了从中枢装备到关键材料的国产化协同哄骗，为光电子器件产业化发展提供蹙迫支合手。

九峰山履行室 6 英寸磷化铟 PIN 探伤器外延片

算作光通讯、量子贪图等领域的中枢材料，磷化铟（InP）材料的产业化哄骗长期濒临大尺寸制备的时代瓶颈，业界主流停留在 3 英寸工艺阶段，腾贵的资本使其无法满左右贱产业哄骗的爆发式增长。

九峰山履行室依托国产 MOCVD 开辟与 InP 衬底时代，冲破大尺寸外延均匀性限度贫穷，初次开发出 6 英寸磷化铟（InP）基 PIN 结构探伤器和 FP 结构激光器的外延滋长工艺，关键性能成见达到海外朝上水平，为完了 6 英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。

材料性能：

· FP 激光器量子阱 PL 发光波长片内圭臬差

· PIN 探伤器材料本底浓度 11000 cm²/V・s

九峰山履行室外延工艺团队

九峰山履行室暗意，在民众光电子产业高速发展的配景下，光通讯、激光雷达、太赫兹通讯等领域对磷化铟（InP）的需求呈现爆发式增长。据 Yole 琢磨，磷化铟（InP）光电子商场规模 2027 年将达 56 亿好意思元（IT之家注：现汇率约合 402.33 亿元东说念主民币），年复合增长率（CAGR）达 14%。6 英寸磷化铟（InP）工艺的冲破，有望鼓励国产光芯片资本降至 3 英寸工艺的 60%-70%，有助于增强国产光芯片商场竞争力。

九峰山履行室本次蚁合国内供应链完了全链路冲破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着蹙迫影响，也为产业链自主可控奠定了基础。举例，九峰山履行室本次时代冲破中 6 英寸磷化铟（InP）衬底配合方云南鑫耀的 6 英寸高品性磷化铟单晶片产业化关键时代已完了冲破，量产在即。改日，履行室将合手续优化 6 英寸 InP 外延平台，鼓励下贱家具考证，莳植产业链自主可控能力，鼓励我国光电子产业升级。